<sub id="5tttj"></sub>
<noframes id="5tttj"><font id="5tttj"></font>

<progress id="5tttj"></progress>
<sub id="5tttj"><font id="5tttj"></font></sub>

    <thead id="5tttj"></thead>

    <noframes id="5tttj"><progress id="5tttj"></progress>

      DisplaySearch:展望2010年太陽能光伏產(chǎn)業(yè)

      2010年04月02日 10:2 3294次瀏覽 來源:   分類: 光伏

        太陽能產(chǎn)業(yè)在2009年證明了具有非常高的循環(huán)性變化,DisplaySearch觀察14個主要的太陽能電池Cell和模塊制造商的利潤率表現(xiàn),06年第一季到08年第四季的平均獲利可達15%,但2009年第一季則急遽下降到-10%,一直到2009年第二季尚呈現(xiàn)虧損。
        主要造成產(chǎn)業(yè)虧損的原因為西班牙再生能源回購費率(Feed-In-Tariff)的改變,全球經(jīng)濟危機以及信貸緊縮造成需求緊縮等等。在2009年上半年,生產(chǎn)能力過剩和整個供應鏈的供過于求,造成太陽能發(fā)電系統(tǒng)的平均價格降幅達25%以上。然而低價格的刺激,較為容易的融資環(huán)境,以及需求的多樣化,加上各個國家及區(qū)域新的獎勵政策推出,讓主要的廠商在2009年第三季順利轉虧為盈。
        獎勵政策主要在于透過提高安裝太陽能系統(tǒng)的經(jīng)濟價值的方法而增加需求。但另一方面,在許多消費者擔心獎勵政策會改變的情形之下,也有許多需求是在補貼政策改變或取消之前提前發(fā)酵。DisplaySearch太陽能研究小組指出,德國新政府將進一步降低再生能源回購費率(FIT),將是一個需求再持續(xù)增長的重要指標。
        整體而言,在德國,意大利,日本,美國,法國,中國及其它地區(qū)的獎勵措施的變化或更新,將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。DisplaySearch也預測2010年太陽能電池和模塊制造商應該可以看到20%的產(chǎn)業(yè)平均利潤率。
        太陽能電池制造商把重點放在降低成本以維持一定獲利率的同時,也將持續(xù)推動電價往GridParity(太陽發(fā)電成本與傳統(tǒng)發(fā)電成本相當)的方向進行。主要降低成本的方法包括使用較少的硅,或使用較便宜的硅。
        多晶硅(Polysilicon)是主要用于制造結晶硅(c-Si)太陽能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽能模塊成本的15%到20%。由于大量多晶硅新產(chǎn)能的開發(fā)以及過去這一年的需求減少,硅晶的價格自2008年下半年起因供過于求而大幅下跌,目前雖然跌勢已經(jīng)趨緩,但預計2010年仍為供過于求的狀況,因此價格將持續(xù)下降。圖二為多晶硅價格趨勢。
        除了提升傳統(tǒng)的多晶硅生產(chǎn)效率之外,新的精煉技術如FBR(FluidBedReactor,流體床反應器)以及UMG(UpgradedMetallurgicalGrade)等級的多晶硅,將可以進一步提供低成本的多重選擇。不過,由于多晶硅的價格下滑極快,目前業(yè)界對于這些新技術的興趣有些微減退,但DisplaySearch太陽能研究小組判斷這些新的多晶硅生產(chǎn)技術依舊在未來可以發(fā)揮成本減低的作用。
        此外,采用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶硅而降低太陽能模塊的總成本。目前太陽能電池制造商已經(jīng)從2000年的300微米晶圓前進到目前的150微米晶圓,而讓多晶硅使用量降低了50%。另一方面,在進行將晶圓(wafer)由硅錠(ingot)切割而出的制程時,由于切割線(wire)并沒有比硅晶圓本身薄多少,因此常造成許多硅材料在切割缺口處被浪費了。
        目前開發(fā)出的新制程為采用更薄的切割線,或者采用新的切割黏液(Slurry),甚至采用鍍上金剛石(Diamond)的切割線,用以減少硅的浪費,并使得晶圓切割的更薄。100微米,常常被認為是傳統(tǒng)晶圓切片技術的極限,但由SiliconGenesis所開發(fā)的新的Polymax技術可以切割到只有20微米的單晶硅薄片。
        在薄膜太陽能電池技術的部份,目前技術相當多,包含了非晶硅(a-Si)技術,碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)等等,不過其開發(fā)的主要的目的都是通過消除使用晶體硅的吸收層以降低成本,薄膜技術的缺點是能源轉換效率較低。
        由于設備廠商大量的提供一體到位(TurnKey)的設備,非晶硅(a-Si)廠商大幅擴產(chǎn)的結果已經(jīng)將全球的產(chǎn)能由2007年的296MW(百萬瓦)提高2009年的1.6GW(十億瓦),甚至預計2010年將達到3.0GW(十億瓦)。然而,由于多晶硅價格較先前預期的大幅降低,影響到非晶硅(a-Si)的需求,因此目前大部分非晶硅產(chǎn)能處在產(chǎn)能利用率較低的窘境。
        當銅銦鎵硒太陽能電池技術被推出時,其目標是希望兼顧相對較高的轉換效率,以及非常低的成本結構;甚至其轉換效率的開發(fā)目標是達到結晶系(Crystalline)的水平。然而,這項技術已被證明要量產(chǎn)有一定的難度。以全球產(chǎn)能來看,銅銦鎵硒在2009年只占全球太陽能電池產(chǎn)能的3%,而實際量產(chǎn)的能力更是十分有限。
        然而,仍有廠商看好CIGS的低成本而加碼投資,DisplaySearch觀察,2010年將會新增415MW的銅銦鎵硒產(chǎn)能,而Solyndra以及ShowaShellSolar等公司已經(jīng)計劃在不久的將來建置500MW甚至1.0GW工廠。
        至于碲化鎘技術,目前以FirstSolar為領導廠商,是目前在低成本方面領先的太陽能技術。在2009年第三季該公司生產(chǎn)的模塊成本僅為0.85美元/watt。而目前FirstSolar也為了因應訂單的急速增加,預計將在2010年增加424MW的能力。
        由于該公司預測2010年每股收益(EPS)將可望在6.05-6.85美元之間,F(xiàn)irstSolar幾乎已經(jīng)成為碲化鎘太陽能技術的傳奇,其技術與經(jīng)營模式也的確為其它模塊制造商設下榜樣,但至今沒有其它從事碲化鎘技術的公司能夠復制其成功模式。
        在太陽能產(chǎn)業(yè),更高的轉換效率等同于降低成本,無論是薄膜或結晶硅技術,在2010年產(chǎn)業(yè)將再次強調提高轉換效率的重要。Centrotherm為一家領先的德國太陽能設備公司,其曾經(jīng)指出,轉換效率每提高0.5%,則成本可以減少約3%。
        2009年是太陽能產(chǎn)業(yè)第一個經(jīng)歷的“SolarCycle(太陽能供需循環(huán))”,以后勢必會有更多循環(huán)發(fā)生,目前隨著需求的回升,大部分太陽能產(chǎn)業(yè)的供應鏈已經(jīng)迅速恢復。隨著需求增加和成本越來越低,太陽能產(chǎn)業(yè)正期待著美好的2010年。
        DisplaySearch太陽能研究小組認為,至少在2010年上半太陽能產(chǎn)業(yè)可以逐步邁向平均獲利率20%。至于在2010年之后,激勵與補貼政策將決定下一個周期循環(huán)。

      責任編輯:仁可

      如需了解更多信息,請登錄中國有色網(wǎng):www.yemianfei8.com了解更多信息。

      中國有色網(wǎng)聲明:本網(wǎng)所有內容的版權均屬于作者或頁面內聲明的版權人。
      凡注明文章來源為“中國有色金屬報”或 “中國有色網(wǎng)”的文章,均為中國有色網(wǎng)原創(chuàng)或者是合作機構授權同意發(fā)布的文章。
      如需轉載,轉載方必須與中國有色網(wǎng)( 郵件:cnmn@cnmn.com.cn 或 電話:010-63971479)聯(lián)系,簽署授權協(xié)議,取得轉載授權;
      凡本網(wǎng)注明“來源:“XXX(非中國有色網(wǎng)或非中國有色金屬報)”的文章,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不構成投資建議,僅供讀者參考。
      若據(jù)本文章操作,所有后果讀者自負,中國有色網(wǎng)概不負任何責任。

      国产成人无码AⅤ片观看视频,国产成人无码久久久免费AV,亚洲精品无码九九九九,日韩一级A一区无码 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();