輝鉬是硫化物的一種，是一種軟金屬，觸摸時(shí)有油膩感，由鱗狀物組成，呈無(wú)光澤的鉛灰色，若將其置于容器中加熱，會(huì)產(chǎn)生黃色煙霧。在不銹鋼上鍍一層輝鉬，能增加其韌度，并能防腐。輝鉬礦是鉬的二硫化物，是最重要的鉬礦資源。輝鉬礦中還常含有錸，并且還是含錸最高的礦物，因此它還是提煉錸的最主要礦物。主要產(chǎn)地為挪威，非洲南部和澳大利亞。據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)1月31日?qǐng)?bào)道，近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實(shí)驗(yàn)室稱(chēng)，用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來(lái)制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢(shì)。與現(xiàn)在廣泛使用的硅材料相比，輝鉬具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)：一是達(dá)到同等效用的體積更小。只有0.65納米厚的輝鉬材料，電子在其中能像在2納米厚的硅材料中那樣自如移動(dòng)，同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)還無(wú)法將硅材料制作得跟輝鉬材料一樣??；二是能耗更低。據(jù)估計(jì)，輝鉬制成的晶體管在待機(jī)狀態(tài)下消耗能量只是硅晶體管的約十萬(wàn)分之一。
　　輝鉬在自然界中含量豐富，通常用于合金鋼或潤(rùn)滑油添加劑中的成分，在電子學(xué)領(lǐng)域尚未得到廣泛研究，是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術(shù)上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽(yáng)能電池等方面有很大潛力。輝鉬材料同硅以及當(dāng)前主要用于電子和計(jì)算機(jī)芯片。輝鉬的另一大優(yōu)勢(shì)是比硅的能耗更低。在固態(tài)物理學(xué)中，能帶理論描述了在特定材料中電子的能量。在半導(dǎo)體中，自由電子存在于這些能帶之間，稱(chēng)為“帶隙”。如果帶隙不太小也不太大，某些電子就能跳過(guò)帶隙，能更有效控制材料的電子行為，開(kāi)關(guān)電路更容易。
　　輝鉬單分子層內(nèi)部天然就有較大的帶隙，雖然它的電子流動(dòng)性較差，但在制造晶體管時(shí)，用一種氧化鉿介質(zhì)柵門(mén)就可使室溫下單層輝鉬的運(yùn)動(dòng)性大大提高，達(dá)到富勒烯納米帶的水平。富勒烯沒(méi)有帶隙，要想在上面人為造出帶隙非常復(fù)雜，還會(huì)降低其電子流動(dòng)性，或者需要高電壓。由于輝鉬直接就有帶隙，可以用單層輝鉬制造間帶通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且在穩(wěn)定狀態(tài)下耗能比傳統(tǒng)硅晶體管小10萬(wàn)倍。在光電子學(xué)和能量捕獲應(yīng)用領(lǐng)域，單層輝鉬還能與富勒烯共同使用，形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。
　　輝鉬的半導(dǎo)體材料實(shí)際比石墨烯還要先進(jìn)和節(jié)能，輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽(yáng)能電池方面具有很廣闊的前景，將對(duì)太陽(yáng)能和軍事等領(lǐng)域的發(fā)展產(chǎn)生極大的推進(jìn)作用。

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