3月1日消息 輝鉬是“浮云”。盡管已經(jīng)被英國《自然·納米技術(shù)》雜志認為是“有望接棒硅和石墨烯的下一代半導(dǎo)體材料”，但輝鉬距離從實驗室邁步到市場化應(yīng)用的時間，依然是遙遠的事情。而在國內(nèi)，一些上市公司的股價卻借助該概念連續(xù)上漲。分析人士提醒，能在6年后完成成熟的實驗室研發(fā)工作，已經(jīng)是“進步神速”，而要推廣到市場化應(yīng)用，則遙遙無期。
　　域外來風(fēng)資金瘋狂據(jù)悉，1月31日出版的英國《自然·納米技術(shù)》雜志稱：“單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的硅和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導(dǎo)體材料。”一石激起千層浪，在國內(nèi)并無實驗室研發(fā)出輝鉬半導(dǎo)體材料的前提下，包括金鉬股份、宏達股份、萬好萬家、銀鴿投資等多家A股上市公司的股價開始連續(xù)上漲，如金鉬股份的股價在2月累計漲幅達到了25.69%，超越上證指數(shù)同期漲幅約22%。
　　輝鉬究竟是什么東西，能讓資金如此瘋狂？
　　公開資料顯示，與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料--硅相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維，而硅是三維材料。如在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易。而輝鉬的另一大優(yōu)勢，是比硅的能耗更低。在半導(dǎo)體中，自由電子存在于這些能帶之間，稱為“帶隙”。由于輝鉬直接就有帶隙，可以用單層輝鉬制造間帶通道場效應(yīng)晶體管，且在穩(wěn)定狀態(tài)下能耗比傳統(tǒng)硅晶體管小10萬倍。
　　“我對輝鉬的相關(guān)工藝不太了解，具體情況只能在我詢問技術(shù)部門后才能回答你。”作為亞洲最大的鉬產(chǎn)品生產(chǎn)商、金鉬股份的證券代表習(xí)軍義這樣回答記者。
　　據(jù)習(xí)軍義介紹，盡管公司擁有的輝鉬礦總量是世界六大原生鉬礦床之一，但將輝鉬礦作為半導(dǎo)體材料亦是在前不久才聽說。“我們公司現(xiàn)在主要生產(chǎn)的是鉬鐵、鉬板、鉬絲等，我也是看到有媒體報道才知道輝鉬可以被作為硅和石墨烯的替代品。”習(xí)軍義表示。
　　而在記者的一再詢問下，習(xí)軍義請來了金鉬股份證券辦的“一位同事”進行解答。“我們公司有著大量的輝鉬原礦，但是原礦的雜質(zhì)較高。”上述人士說，“我們目前的產(chǎn)品在經(jīng)過氧化脫硫、提純后，輝鉬的純度可以達到99.99%，但用途也僅僅是初級的鉬化工產(chǎn)品，而做成能夠具備半導(dǎo)體特性的輝鉬材料，我們公司不具備這個技術(shù)，而且我敢說國內(nèi)也沒有一家公司具備這樣的技術(shù)。”純概念爆炒要謹慎事實上，近年來鉬在新興領(lǐng)域研究和應(yīng)用得到快速發(fā)展，如在金屬陶瓷、難熔材料復(fù)合板、納米級鉬金屬材料、高溫涂層、高科技領(lǐng)域的靶材及鍍膜玻璃、光伏、蓄電池等行業(yè)的研究和應(yīng)用；而將輝鉬作為半導(dǎo)體材料，目前全世界范圍僅瑞士在實驗室條件下應(yīng)用，國內(nèi)尚無先例。

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