此次技術(shù)的應(yīng)用結(jié)果。左為原來(lái)的可靠性試驗(yàn)結(jié)果。右為采用此次技術(shù)的

                    模擬結(jié)果。兩者的晶須發(fā)生位置一致。數(shù)據(jù)由日立提供。

　　日立制作所宣布，開(kāi)發(fā)出了再現(xiàn)晶須發(fā)生現(xiàn)象的模擬技術(shù)。據(jù)日立介紹，通過(guò)采用該技術(shù)求得無(wú)鉛鍍錫的詳細(xì)應(yīng)力分布，能再現(xiàn)隨應(yīng)力移動(dòng)的錫原子聚集所產(chǎn)生的晶須現(xiàn)象。
　　以前，確認(rèn)晶須耐性，需要長(zhǎng)期的可靠性試驗(yàn)。而此次，日立與瑞薩電子合作開(kāi)發(fā)出了再現(xiàn)無(wú)鉛鍍錫中晶須現(xiàn)象的模擬技術(shù)。通過(guò)采用該技術(shù)，能夠在短期內(nèi)預(yù)測(cè)晶須耐性。今后，將針對(duì)產(chǎn)品應(yīng)用進(jìn)行研究。另外，日立在日本電子封裝學(xué)會(huì)主辦的“第25屆春季演講大會(huì)”（正在橫浜國(guó)立大學(xué)舉行）上針對(duì)該技術(shù)發(fā)表了演講。
　　此次開(kāi)發(fā)的技術(shù)按照以下步驟預(yù)測(cè)晶須的發(fā)生。首先，在無(wú)鉛鍍錫的任意范圍內(nèi)，采用電子背散射衍射法（EBSP法）預(yù)測(cè)各晶粒的形狀和結(jié)晶方位。其次，制作出反映所測(cè)到各晶粒形狀和結(jié)晶方位的有限元分析模型。這時(shí)，考慮錫結(jié)晶的彈性指數(shù)和線性膨脹系數(shù)的各向異性。
　　給這個(gè)分析模型設(shè)定溫度變化等負(fù)荷條件，求得鍍錫過(guò)程中的詳細(xì)應(yīng)力分布。然后，采用根據(jù)分子動(dòng)力學(xué)法計(jì)算出的錫原子擴(kuò)散系數(shù)（隨應(yīng)力移動(dòng)的容易程度），計(jì)算出應(yīng)力分布中的錫原子移動(dòng)，并根據(jù)錫原子集中度預(yù)測(cè)出晶須的發(fā)生位置。
　　據(jù)日立介紹，上述測(cè)定和模擬需要幾天時(shí)間。而原來(lái)的可靠性試驗(yàn)通常需要1個(gè)多月，由此可見(jiàn)此次的方法能夠大幅縮短周期和降低成本。
　　日立在試電鍍的溫度周期試驗(yàn)中嘗試將此次開(kāi)發(fā)的模擬技術(shù)應(yīng)用于初期晶須發(fā)生區(qū)域的評(píng)估。結(jié)果證實(shí)，根據(jù)模擬求出的應(yīng)力分布和錫原子集中度，可再現(xiàn)晶須發(fā)生現(xiàn)象。