———— 四個(gè)重大突破 ————
　　長(zhǎng)度測(cè)量極限：實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)的尺寸測(cè)量

　　記：您剛剛提到，本項(xiàng)目是以建立固體密度基準(zhǔn)為出發(fā)點(diǎn)。但是項(xiàng)目獲獎(jiǎng)名稱是“測(cè)長(zhǎng)方法創(chuàng)新及固體密度基準(zhǔn)的建立”，長(zhǎng)度測(cè)量和建立密度基準(zhǔn)有什么關(guān)系？
　　羅：在研究固體密度基準(zhǔn)時(shí)，我們90%的工作是測(cè)長(zhǎng)，就是測(cè)量單晶硅球的半徑。這也是研究工作中最難的部分。在此之前，國(guó)際上對(duì)長(zhǎng)度的測(cè)量普遍采用“激光變頻”方法， 精確度只能達(dá)到納米級(jí)。而建立固體密度基準(zhǔn)，技術(shù)上則要求達(dá)到亞納米級(jí)，這幾乎是長(zhǎng)度測(cè)量的極限。就好比我們平常生活中測(cè)長(zhǎng)用的三角板，最多準(zhǔn)確到毫米。如果要精確到微米，用三角板就不行了，必須采用新的、高準(zhǔn)確度的測(cè)量方法或測(cè)量工具。
　　在研究中，我們提出了“機(jī)械掃描”相移干涉測(cè)長(zhǎng)新方案，研制出一套硅球直徑高準(zhǔn)確度測(cè)量裝置，實(shí)現(xiàn)了一種具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超高準(zhǔn)確度測(cè)長(zhǎng)方法，技術(shù)潛力高出國(guó)際現(xiàn)有“激光變頻”方法近1個(gè)數(shù)量級(jí)，為國(guó)際首創(chuàng)。

　　記：項(xiàng)目研究還有哪些主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)和重大的技術(shù)突破？
　　羅：首先，關(guān)鍵量——單晶硅氧化層厚度的精密測(cè)量方面。氧化硅層厚度測(cè)量是國(guó)際公認(rèn)的技術(shù)瓶頸之一。因?yàn)楣枨虮砻娴难趸瘜右坏┬纬删头浅７€(wěn)定，厚度一般在3—7納米，要進(jìn)一步提高硅球直徑的準(zhǔn)確度就必須實(shí)際測(cè)量。我們?cè)趪?guó)際上首次提出了理論算法與光闌濾波相結(jié)合的技術(shù)方案，將確定度控制在小于0.05納米的范圍之內(nèi)。
　　其次，信號(hào)去噪關(guān)鍵技術(shù)突破。干涉信號(hào)的準(zhǔn)確采集直接決定直徑測(cè)量準(zhǔn)確度，我們實(shí)現(xiàn)了一種高效率噪聲處理新方法，提高了信號(hào)測(cè)量準(zhǔn)確度，為國(guó)際首創(chuàng)。第三，精密絕熱控溫技術(shù)創(chuàng)新。利用“溫度補(bǔ)償效應(yīng)”和“相位疊加效應(yīng)”，研制出溫度穩(wěn)定性顯著優(yōu)于國(guó)際同行的精密絕熱控溫系統(tǒng)。此項(xiàng)技術(shù)深得國(guó)際同行的肯定，基于此項(xiàng)技術(shù)還獲得了發(fā)明專利。

[1] [2][3] 下一頁