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      1.1毫米8英寸硅基氮化鎵LED芯片問世

      2012年05月23日 10:1 6693次瀏覽 來源:   分類: 新技術(shù)

        近日,普瑞光電公司與東芝公司宣布,兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米,在電壓低于3.1V電流350mA時發(fā)射功率達(dá) 614mW。
        面對全球液晶面板和照明系統(tǒng)對LED芯片日益增長的需求,普瑞光電與東芝公司將進(jìn)一步加快在這一領(lǐng)域的研發(fā)步伐。
        “東芝公司和普瑞光電早已在這項技術(shù)研發(fā)方面展開合作,此次注資使兩家公司建立為更具有戰(zhàn)略性的合作伙伴關(guān)系,將推動我們實現(xiàn)降低普通照明市場固態(tài)解決方案成本的共同目標(biāo)。” 普瑞光電公司首席執(zhí)行官Bill Watkins 表示。
        “我們很高興通過我們與普瑞光電公司的研發(fā)合作獲得了前所未有的8英寸硅基氮化鎵LED性能。我們將繼續(xù)進(jìn)行更先進(jìn)的開發(fā),并加速把我們的技術(shù)商品化。”東芝公司半導(dǎo)體和存儲產(chǎn)品公司副總裁兼執(zhí)行副總裁Makoto Hideshima表示。

      責(zé)任編輯:安子

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