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      納米半導(dǎo)體摻雜鋁可大大提高導(dǎo)電性

      2013年05月17日 10:21 4871次瀏覽 來源:   分類: 新技術(shù)

             科技部網(wǎng)站消息:納米電子學(xué)又前進了一步。一個德國馬克斯普朗克學(xué)會微結(jié)構(gòu)物理學(xué)研究所參與的國際研究團隊發(fā)現(xiàn)了一個可以用來制作具有非常強導(dǎo)電性硅納米線的效應(yīng):利用鋁作為催化劑生成這類納米線。科學(xué)家們發(fā)現(xiàn),硅在這一過程中吸收的鋁,大大超過了他們的預(yù)期。摻雜的鋁含量高,改善了納米線的導(dǎo)電性。這一效應(yīng)可用來制造其他高摻雜性的納米材料。
        科學(xué)家們發(fā)現(xiàn),硅在這時候吸收的鋁甚至能超過熱力學(xué)定律允許的1萬倍。根據(jù)熱力學(xué)定律,硅晶體通過摻雜被鋁原子取代的原子數(shù)連百萬分之一都不到。但事實上,經(jīng)原子探針斷層掃描,該團隊的科學(xué)家發(fā)現(xiàn),他們制作的摻雜鋁的硅納米線鋁含量高達約4%,而且鋁原子分布十分均勻。
        有關(guān)這一發(fā)現(xiàn)的論文發(fā)表于2013年4月4日的《Nature》。

      責(zé)任編輯:安子

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