單原子層鍺——電子產(chǎn)業(yè)的未來？
2015年02月18日 11:34 5244次瀏覽 來源： 新材料在線 分類： 新技術
據(jù)Science Daily 本月14日報道，俄亥俄州立大學化學系助理教授Joshua Goldberger在美國科學促進協(xié)會會議上宣布了一項重大成果，在制備單鍺（單原子層鍺）的方法上取得了重大進展。
2013年，Goldberger的實驗室第一個成功制備出了單原子層鍺—由于它非常薄，因此你可以把它看成是二維的。在那之后，他和他的研究小組就一直在研究單鍺原子間的共價鍵，并向其中摻雜錫單質(zhì)制備復合材料。
他們的目標是制備一種運輸電子效率10倍于硅的材料，并且具有更好的光學性能，后者是提高LED和激光器效率的關鍵。
“通過調(diào)節(jié)單鍺的原子鍵，我們就可以改變材料的電子結構，也就可以控制單鍺吸收能量的多寡。” Goldberger解釋道。“因此，理論上我們是可以制造出一種能吸收所有波長的光的材料，或者能吸收不同光的材料，這統(tǒng)統(tǒng)取決于原子鍵。”
該研究小組試圖從傳統(tǒng)的硅工業(yè)制法中獲得啟發(fā)，以便單鍺能盡快產(chǎn)業(yè)化。
除了在傳統(tǒng)的半導體工業(yè)中有強大的潛力外，摻雜了錫的單鍺更是有驚人的表現(xiàn)：在室溫下電導率達100%。Goldberger教授解釋道，較重的錫原子讓單鍺變成了一種2D的“拓撲絕緣體”，這意味著該材料僅在邊緣導電。理論上要制備這種材料，上表面與下表面之間成的鍵得非常特殊，比如像OH鍵。
Goldberger的實驗室還確認，這種材料的化學穩(wěn)定性非常好。他們制備了錫原子摻雜率為9%的單鍺，發(fā)現(xiàn)錫原子能與單鍺原子層上下的羥基成鍵。目前，Goldberger的研究團隊正致力于制備純錫的二維衍生物。
責任編輯：趙天寧
如需了解更多信息，請登錄中國有色網(wǎng)：www.yemianfei8.com了解更多信息。
中國有色網(wǎng)聲明：本網(wǎng)所有內(nèi)容的版權均屬于作者或頁面內(nèi)聲明的版權人。
凡注明文章來源為“中國有色金屬報”或 “中國有色網(wǎng)”的文章，均為中國有色網(wǎng)原創(chuàng)或者是合作機構授權同意發(fā)布的文章。
如需轉載，轉載方必須與中國有色網(wǎng)（ 郵件：cnmn@cnmn.com.cn 或 電話：010-63971479）聯(lián)系，簽署授權協(xié)議，取得轉載授權；
凡本網(wǎng)注明“來源：“XXX（非中國有色網(wǎng)或非中國有色金屬報）”的文章，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不構成投資建議，僅供讀者參考。
若據(jù)本文章操作，所有后果讀者自負，中國有色網(wǎng)概不負任何責任。
