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      石墨烯自旋電子學(xué):從科學(xué)到技術(shù)

      2015年05月12日 9:19 5788次瀏覽 來(lái)源:   分類: 新技術(shù)

      電子學(xué)基于電子及其他載流子的操縱,除了電荷之外,電子還具有一個(gè)稱之為自旋的屬性。通過(guò)磁場(chǎng)和電場(chǎng)控制自旋,產(chǎn)生自旋極化電流,可攜帶比單獨(dú)電荷更多的信息。

      電子學(xué)基于電子及其他載流子的操縱,除了電荷之外,電子還具有一個(gè)稱之為自旋的屬性。通過(guò)磁場(chǎng)和電場(chǎng)控制自旋,產(chǎn)生自旋極化電流,可攜帶比單獨(dú)電荷更多的信息。自旋輸運(yùn)電子學(xué),或稱為自旋電子學(xué)是歐洲石墨烯旗艦計(jì)劃研究的主題。

      自旋電子學(xué)研究和開(kāi)發(fā)電子自旋、磁矩以及電荷的固態(tài)器件。一些人認(rèn)為這個(gè)課題很深?yuàn)W,挑戰(zhàn)了量子物理和化學(xué)基礎(chǔ),但人們?cè)詾檫@與當(dāng)今主流的電子學(xué)是相同的?,F(xiàn)實(shí)是,自旋電子學(xué)是應(yīng)用科學(xué)與工程的一個(gè)成熟領(lǐng)域,也是一門迷人的純科學(xué)。

      電子自旋與量子邏輯(Electron spin and quantum logic

      值得注意的是,在石墨烯自旋電子學(xué)研究之前,自旋電子學(xué)已經(jīng)是數(shù)字電子技術(shù)方面的一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域,即數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

      自旋可看作是繞自身軸線旋轉(zhuǎn)的電子,具有內(nèi)在角動(dòng)量,可從上或下兩個(gè)方向檢測(cè)到磁場(chǎng)。結(jié)合這些磁取向和二進(jìn)制邏輯的開(kāi)/關(guān)電流狀態(tài),可獲得一個(gè)四狀態(tài)系統(tǒng),兩個(gè)磁取向形成一個(gè)量子比特(quantum bit, or qubit

      計(jì)算機(jī)技術(shù)方面,相比于兩狀態(tài),四狀態(tài)具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,提高處理能力和存儲(chǔ)密度,增加存儲(chǔ)容量。電子自旋為存儲(chǔ)及操縱信息提供一個(gè)額外自由度。

      現(xiàn)代磁硬盤的讀取頭采用與自旋相關(guān)的巨磁阻(Giant Magnetoresistance,GMR)和隧道磁阻(Tunnel Magnetoresistance,TMR)效應(yīng)。GMR器件由分隔開(kāi)的兩層以上鐵磁材料組成。當(dāng)磁性層磁化矢量平行時(shí),電阻更低。這種裝置稱之為自旋閥。對(duì)于TMR,電子輸運(yùn)由粒子穿過(guò)絕緣的分離的鐵磁層的量子力學(xué)隧道產(chǎn)生。

      在這兩種情況下,磁場(chǎng)傳感器可讀取硬盤上磁編碼的數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetoresistive Random Access Memory)和賽道存儲(chǔ)器(racetrack memory)這兩種計(jì)算機(jī)內(nèi)存都利用了電子自旋。

      石墨烯自旋輸運(yùn)(Spin transport in graphene

      石墨烯是石墨的單層原子結(jié)構(gòu),其室溫自旋輸運(yùn)相干擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)達(dá)數(shù)微米,是自旋電子學(xué)應(yīng)用的理想材料。石墨烯還具有高電子遷移率、可調(diào)載流子濃度等性質(zhì)。

      石墨烯室溫自旋輸運(yùn)的研究可以追溯到2007年,由荷蘭格羅寧根大學(xué)(Groningen University)物理學(xué)家、歐洲石墨烯旗艦計(jì)劃科學(xué)家Bart van Wees帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)進(jìn)行。去年發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》(Nature Nanotechnology)上的一篇文章表述了自旋輸運(yùn)的首次實(shí)際演示的討論,以及石墨烯自旋電子學(xué)理論和實(shí)踐的詳細(xì)技術(shù)綜述。雷根斯堡旗艦科學(xué)家(Regensburg-based flagship scientistJaroslav Fabian是該綜述的作者之一。

      van Wees課題組的實(shí)驗(yàn)及隨后的研究表明,10%左右這種相對(duì)低的自旋注入效率可能是由于鐵磁材料與石墨烯間的電導(dǎo)失配,或者其他相關(guān)效應(yīng)引起的。采用氧化鎂薄膜作為隧道勢(shì)壘可獲得了相對(duì)高得多的效率。

      還使用了其他的方法,一種方法是采用針孔交叉、透明連接絕緣層,使得鐵磁電極與石墨烯層直接接觸,還有一種方法是使用銅等無(wú)磁性材料。隧穿絕緣層的情況下,測(cè)量的磁電阻最大達(dá)到130 ohms(歐姆),相應(yīng)的自旋注入效率達(dá)到60%以上。

      從小尺度的自旋輸運(yùn)研究到大面積石墨烯的研究,是石墨烯自旋電子學(xué)應(yīng)用于集成電路晶片的關(guān)鍵一步。重點(diǎn)在于懸浮石墨烯層的自旋輸運(yùn)以及沉積于六方氮化硼(hexagonal boron nitride,hBN)基底的石墨烯。隨著技術(shù)的發(fā)展,獲得了更長(zhǎng)的自旋長(zhǎng)度及壽命,后續(xù)文章將討論石墨烯-hBN異質(zhì)結(jié)的實(shí)例。

      使石墨烯磁化(Making graphene magnetic

      要在強(qiáng)反磁性的石墨烯中產(chǎn)生磁有序是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。然而,如果要將石墨烯應(yīng)用于自旋電子學(xué)領(lǐng)域,誘導(dǎo)磁矩是至關(guān)重要的。希望通過(guò)對(duì)石墨烯進(jìn)行摻雜或功能化可獲得可調(diào)的磁性。這可通過(guò)材料六方晶體結(jié)構(gòu)的缺陷或在其表面吸附原子來(lái)實(shí)現(xiàn)。

      氫化石墨烯是磁性石墨烯的基準(zhǔn),氫原子可逆的化學(xué)吸附在石墨烯上。這造成晶格失衡,從而誘導(dǎo)磁矩。另一種是氟原子,與碳鍵合使得石墨烯轉(zhuǎn)變?yōu)閷拵督^緣體。與氫原子相似,氟原子可逆的化學(xué)吸附在石墨烯上。

      “石墨烯是自旋電子學(xué)中很有前途的材料,其自旋特性不僅能調(diào)節(jié),甚至可通過(guò)與原子或其他2D材料結(jié)合進(jìn)行定制。”Fabian說(shuō),“一旦確定合適的材料,將開(kāi)啟具體的技術(shù)應(yīng)用之路。這也是完美旗艦計(jì)劃正在研究的。”

      石墨烯結(jié)構(gòu)中消失的一個(gè)碳原子或空位都將產(chǎn)生自旋極化電子,由鍵上剝離四個(gè)電子,其中三個(gè)形成“懸掛”狀態(tài)。兩個(gè)懸掛鍵產(chǎn)生磁矩,但缺乏預(yù)言的π-magnetism的直接證據(jù)。

      延長(zhǎng)自旋壽命(Extending spin lifetime

      最大限度的延長(zhǎng)自旋壽命是石墨烯自旋電子學(xué)應(yīng)用的關(guān)鍵。理論預(yù)測(cè)純石墨烯的自旋壽命在1微秒左右,而實(shí)驗(yàn)獲得的數(shù)值在幾十皮秒到幾納秒之間。石墨烯自旋壽命只有達(dá)到納秒及以上,其自旋輸運(yùn)才應(yīng)用于實(shí)際。兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上的差異是致命的,它表明自旋弛豫是外源性的,比如雜質(zhì)、缺陷或是研究中的誤差。

      石墨烯自旋閥與二氧化硅基底隧道接觸,已經(jīng)實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到幾納秒的自旋壽命,但針孔連接測(cè)得的壽命遠(yuǎn)低于一納秒。接觸引起的自旋弛豫是一個(gè)關(guān)鍵因素。這可通過(guò)提高接觸質(zhì)量和是鐵磁電極間距遠(yuǎn)大于塊材石墨烯自旋相干長(zhǎng)度來(lái)縮短。

      盡管已有大量的理論研究,但對(duì)于石墨烯自旋弛豫的來(lái)源仍知之甚少。有兩種機(jī)制可用于解釋實(shí)驗(yàn)趨勢(shì)?;谧孕壍礼詈霞皠?dòng)量散射解釋金屬及半導(dǎo)體自旋電子的來(lái)源。自旋軌道耦合是指電子的自旋與其運(yùn)動(dòng)的相互作用,自旋與由原子核周圍電子軌道產(chǎn)生的磁場(chǎng)間的相互作用導(dǎo)致了顆粒原子能級(jí)的改變。

      問(wèn)題是兩種自旋弛豫機(jī)制都不成立。兩者都預(yù)測(cè)有微秒級(jí)的壽命,但實(shí)驗(yàn)表明最大只有幾納秒。唯一與單層和雙層石墨烯實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合的機(jī)制是基于由局域磁矩引起的共振散射。該模型由雷根斯堡(Regensburg)的Fabian研究小組提出。

      最近的研究結(jié)果表明,電子遷移率并不是限制自旋壽命的因素,石墨烯中帶電粒子和雜質(zhì)間的散射也不是自旋弛豫的主要影響因素。也就是說(shuō),確定自旋弛豫的主要來(lái)源對(duì)石墨烯研究人員來(lái)講仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。確定石墨烯自旋弛豫的來(lái)源將有助于提高其自旋壽命,甚至達(dá)到理論極限,這對(duì)基礎(chǔ)科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用都具有重要的意義。

      未來(lái)發(fā)展方向(Future directions

      發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》(Nature Nanotechnology)的綜述在結(jié)論中指出,Fabian及其同事認(rèn)為利用自旋,石墨烯自旋轉(zhuǎn)移力矩的邏輯器件可用于信息處理。目前,自旋邏輯器件是國(guó)際搬到圖技術(shù)路線(International Technology Roadmap for Semiconductors)的組成部分,以期應(yīng)用于未來(lái)計(jì)算機(jī)。

      自旋邏輯器件包括可擦寫芯片、晶體管、邏輯門、磁傳感器以及用于量子計(jì)算的半導(dǎo)體納米顆粒。最近發(fā)表的“石墨烯、相關(guān)二維晶體及其雜化體系的科學(xué)技術(shù)路線圖”("Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems.")討論了以上那些應(yīng)用以及其他石墨烯基自旋電子學(xué)應(yīng)用。該路線圖由歐洲石墨烯旗艦計(jì)劃(Europe's Graphene Flagship)框架提出,歐洲石墨烯旗艦計(jì)劃是由歐洲委員會(huì)(European Commission)資助的一個(gè)國(guó)際學(xué)術(shù)/工業(yè)組織,致力于石墨烯及其他層狀材料的研發(fā)。

      自旋電子學(xué)是一個(gè)相對(duì)年輕的研究領(lǐng)域,但近年來(lái)在石墨烯及相關(guān)材料長(zhǎng)自旋壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度方面已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。石墨烯旗艦計(jì)劃的研究人員處于這一世界性研究的核心。

      新材料在線編譯整理——翻譯:菠菜     校正:摩天輪

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