國產(chǎn)化5G芯片用氮化鎵材料在蕪湖試制成功
2019年02月25日 10:20 7243次瀏覽 來源： 中國有色金屬報 分類： 新材料前沿
近日，筆者從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用氮化鎵材料在西電蕪湖研究院試制成功，這標志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
據(jù)介紹，氮化鎵半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩(wěn)定性等優(yōu)越物理化學性質(zhì)。成為繼第一代半導(dǎo)體硅、第二代半導(dǎo)體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關(guān)鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。
西安電子科技大學蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學科實驗室，研發(fā)出全國產(chǎn)的基于碳化硅襯底的氮化鎵材料，目前在國際第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平，將助力5G通信制造領(lǐng)域的國產(chǎn)化進程。西電蕪湖研究院技術(shù)總監(jiān)陳興表示，研究院目前已經(jīng)掌握了氮化鎵材料的生產(chǎn)和5G通信芯片的核心設(shè)計與制造能力。下一步他們將盡快將這項技術(shù)商用，力爭早日推向市場。
責任編輯：陳巖
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