近日，中科院蘇州納米所印刷電子中心蘇文明研究團隊基于混合式印刷增材制造技術(shù)，優(yōu)化壓印模具結(jié)構(gòu)參數(shù)，實現(xiàn)了2∶1深寬比和4μm線寬的凹槽結(jié)構(gòu)，再結(jié)合刮填薄層納米銀油墨的種子層，用電籌沉銅技術(shù)在凹槽中填滿致密的銅。由于電沉積過程金屬銅完全限制在凹槽中只能單向生長，避免了擴線，從而獲得高深寬比的銅網(wǎng)格，因而在不影響光透過率的情況下增加了金屬網(wǎng)格的厚度，同時電鍍的網(wǎng)格具有銅本征的高電導(dǎo)率，最終在86%的高透光率下，方塊電阻低至0.03Ω/，F(xiàn)OM值超過80000（FOM是透明導(dǎo)電膜的綜合質(zhì)量因素，指光透過與方阻的比值，如ITO的FOM<300）。

 　　透明導(dǎo)電膜在高透光下同時具有導(dǎo)電性，是光電領(lǐng)域中不可或缺的重要工業(yè)基礎(chǔ)材料。隨著光電子器件逐漸向大尺寸、輕薄、柔性、低成本方向發(fā)展，對高性能的柔性及可拉伸透明導(dǎo)電膜的需求增長迅速。

 　　當前廣泛使用的透明導(dǎo)電材料主要為ITO膜或玻璃，但因方阻較高、脆性結(jié)構(gòu)限制了其在柔性光電器件上的使用；而新發(fā)展的基于導(dǎo)電聚合物、碳材料和金屬納米材料的柔性透明導(dǎo)電膜，普遍存在導(dǎo)電性和透過率相互制約的問題，在85%以上的透過率下方阻通常在數(shù)十歐每方塊以上。

 　　基于銅箔黃光制程蝕刻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜具有高導(dǎo)高透的優(yōu)點受到了行業(yè)廣泛關(guān)注，但工藝復(fù)雜，酸蝕刻工藝與銅離子造成的污染及其高成本也不容忽視。中科院蘇州納米所崔錚研究員領(lǐng)導(dǎo)的印刷電子研究團隊自主研發(fā)了印刷增材制造的嵌入式銀網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，透過率和導(dǎo)電性可以獨立調(diào)節(jié)，在85%以上透過率下方阻低于10Ω/，已成功應(yīng)用在觸摸屏上并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，曾榮獲2014年中國專利金獎。

 　　為進一步推廣印刷金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜在透明導(dǎo)磁屏蔽、電加熱膜、透明5G天線等更廣領(lǐng)域的應(yīng)用，如何進一步在高透過率下大幅度提升導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性能成為團隊的重要研究目標。