硅是推動(dòng)人類文明大步前進(jìn)的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)的核心，硅也可能在未來(lái)的計(jì)算機(jī)技術(shù)等方面起到關(guān)鍵作用，所以硅的研究歷來(lái)是國(guó)際重大研究領(lǐng)域。半導(dǎo)體表/界面是未來(lái)關(guān)鍵器件中復(fù)合結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，Si(111)-7x7重構(gòu)表面相又是半導(dǎo)體重構(gòu)表面的代表，因此Si(111)-7x7重構(gòu)表面相及其相變動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象的研究，一直是一個(gè)國(guó)際重大課題。
　　Si(111)-7x7重構(gòu)表面發(fā)現(xiàn)于1959年，其原子結(jié)構(gòu)模型完成于1985年，這個(gè)7x7重構(gòu)表面相在1125K通過(guò)表面相變回歸為1x1相?，F(xiàn)代低能電子顯微鏡（LEEM）的成熟使得實(shí)時(shí)觀測(cè)依賴于時(shí)間的表面相變過(guò)程成為可能，最典型的應(yīng)用就是針對(duì)Si(111)-7x7重構(gòu)表面相到高溫1x1相的相變。按通常想象，在相變過(guò)程中7x7島衰變率應(yīng)該只與島當(dāng)前的面積有關(guān)，但是，實(shí)驗(yàn)結(jié)果卻不是這樣。自2000年以來(lái)的LEEM實(shí)驗(yàn)顯示，7x7納米島的面積衰減呈線性行為，衰減率基本上是由其初始島面積決定的常數(shù)。這個(gè)問(wèn)題的解決對(duì)于理解這個(gè)相變及其動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象至關(guān)重要。
　　我國(guó)的研究人員在系統(tǒng)地分析了大量實(shí)驗(yàn)事實(shí)的基礎(chǔ)上，提出用一個(gè)相場(chǎng)模型來(lái)描述這個(gè)半導(dǎo)體重構(gòu)表面及其相變動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象，其模型要點(diǎn)是，相變過(guò)程中7x7島衰變時(shí)有兩個(gè)速度不同的過(guò)程，快過(guò)程反應(yīng)7x7重構(gòu)表面相的基本特征的變化，慢過(guò)程描述隨后的大范圍原子馳豫。他們的相場(chǎng)模擬結(jié)果與LEEM實(shí)驗(yàn)完全一致，說(shuō)明該模型抓住了這個(gè)相變過(guò)程的要點(diǎn)。
　　這項(xiàng)研究對(duì)Si(111)-7x7重構(gòu)表面相及其相變動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象的研究取得了滿意的結(jié)果。