NEC電子開發(fā)出基于銅通孔的熔絲技術(shù)
2007年12月19日 0:0
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來源：
中國有色網(wǎng)
分類： 銅資訊
NEC電子開發(fā)出了采用銅通孔（用于連接銅布線）的熔絲技術(shù)（演講序號2.5）。NEC電子計(jì)劃將該技術(shù)導(dǎo)入07年年底開始量產(chǎn)的55nm工藝LSI中，促進(jìn)制造成品率的提高。由于該項(xiàng)技術(shù)“可用于多種工藝”（NEC電子執(zhí)行董事福間雅夫），因此還計(jì)劃將其用于45～32nm工藝及其以后的工藝。
準(zhǔn)備導(dǎo)入32nm以后的新材料
此次開發(fā)的采用銅通孔的技術(shù)，其特點(diǎn)是熔絲的可靠性較高。電氣特性方面，斷線前后銅通孔的電阻比高達(dá)107，即使加熱，熔絲也不會再次連接，將保持這一電阻比。原因是層間絕緣膜因銅通孔的熱膨脹而開裂，被勢壘金屬（BarrierMetal）包圍的區(qū)域內(nèi)的銅原子向開裂方向移動，這樣一來通孔區(qū)域就可產(chǎn)生較大的空孔。
熔絲技術(shù)使集成在芯片上的元件帶有冗長性，電氣分離在檢查階段被判定為劣質(zhì)的元件，然后用正常元件替換。NEC電子06年開發(fā)出了基于銅布線的熔絲技術(shù)，現(xiàn)已導(dǎo)入量產(chǎn)。此次將熔絲替換為通孔，是因?yàn)樵O(shè)想以32nm以后工藝導(dǎo)入的帶有金屬蓋的銅布線，難以作為熔絲使用。金屬蓋是防止產(chǎn)生電子遷移的保護(hù)膜，有了這層保護(hù)膜，即使向銅布線輸入大電流，也不易產(chǎn)生電氣切斷。
現(xiàn)行的熔絲技術(shù)，大多使用MOSFET柵電極的超薄硅化物（Silicide）薄膜，不過在整個(gè)柵電極中使用金屬的32nm以后工藝，難以電氣切斷柵電極。NEC電子開發(fā)的基于銅布線和銅通孔的技術(shù)，將成為熔絲技術(shù)在32nm以后工藝中的替代方法。（日經(jīng)BP社報(bào)道）
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