據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)北卡州立大學(xué)的研究人員表示，他們開發(fā)出了制造高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體薄膜（薄膜厚度僅為單原子直徑）的新技術(shù)，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)模縮小到原子量級(jí)，包括激光器、發(fā)光二極管和計(jì)算機(jī)芯片等；而其所用材料硫化鉬成為關(guān)鍵。分析人士指出，此次氧化硫研究獲得突破后，半導(dǎo)體薄膜在納米電子器件中將更受歡迎，A股市場(chǎng)中沾“鉬”概念，如洛陽鉬業(yè)、新華龍、金鉬股份將有望受到資金的青睞。股市有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎；文中提及個(gè)股僅供參考，不做買賣建議。硫化鉬研究獲突破 沾“鉬”概念引關(guān)注

　　高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體薄膜問世 研發(fā)材料硫化鉬成關(guān)鍵
　　早在今年1月中旬時(shí)，鉬鐵價(jià)格的暴漲，就曾掀起過一陣炒鉬風(fēng)暴；如今，硫化鉬研究的突破，再度引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)北卡州立大學(xué)的研究人員表示，他們開發(fā)出了制造高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術(shù)，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)?？s小到原子量級(jí)，包括激光器、發(fā)光二極管和計(jì)算機(jī)芯片等；而其所用材料硫化鉬成為關(guān)鍵。分析人士指出，此次氧化硫研究獲得突破后，半導(dǎo)體薄膜在納米電子器件中將更受歡迎，A股市場(chǎng)中沾“鉬”概念，如洛陽鉬業(yè)、新華龍、金鉬股份將有望受到資金的青睞。

　　硫化鉬應(yīng)用大門將打開
　　據(jù)海外媒體報(bào)道，美國(guó)北卡州立大學(xué)研究人員日前表示，他們開發(fā)出了制造高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術(shù)。其材料科學(xué)和工程助理教授曹林友表示，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)?？s小到原子量級(jí)，包括激光器、發(fā)光二極管和計(jì)算機(jī)芯片等。
　　據(jù)悉，研究人員研究的材料是硫化鉬，它是一種價(jià)格低廉的半導(dǎo)體材料，電子和光學(xué)特性與目前半導(dǎo)體工業(yè)界所用的材料相似。然而，硫化鉬又與其他半導(dǎo)體材料有所不同，因?yàn)樗芤詥卧臃謱由L(zhǎng)形成單層薄膜，同時(shí)薄膜又不會(huì)失去原有的材料特性。
　　在新技術(shù)中，研究人員將硫粉和氯化鉬粉放置于爐內(nèi)，并將溫度逐步升高到850攝氏度，此時(shí)兩種粉末出現(xiàn)蒸發(fā)(汽化)并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成硫化鉬。而繼續(xù)保持高溫，硫化鉬能沉積到基片上，形成薄薄的硫化鉬膜。
　　曹林友表示，他們成功的關(guān)鍵是尋找到了新的硫化鉬生長(zhǎng)機(jī)理，即自限制生長(zhǎng)，并通過控制高溫爐中分壓和蒸汽壓來精確地控制硫化鉬層的厚度。據(jù)介紹，分壓代表懸浮在空氣中的原子或分子聚集成固體沉淀到基片上的趨勢(shì)；蒸汽壓代表基片上的固體原子或分子汽化進(jìn)入空氣的趨勢(shì)。為在基片上獲得單層硫化鉬，分壓必須高于蒸汽壓；分壓越高，沉積到底部的硫化鉬層就越多。如果分壓高于在基片上形成單層薄膜的蒸汽壓，但又低于形成雙層薄膜的蒸汽壓，那么在分壓和蒸汽壓之間的這種平衡能確保在單層硫化鉬薄膜形成后薄膜生長(zhǎng)自動(dòng)停止，不再向多層發(fā)展。這就是“薄膜的自限制生長(zhǎng)”。

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