半導體發(fā)展?jié)摿氨仁?br />　　眾所周知，石墨烯在A股市場上不時掀起炒作狂潮，而石墨烯自身的發(fā)展，也早就不僅局限于概念的炒作。如今，分析人士表示，單層輝鉬材料有望取代現(xiàn)有的矽和熱門石墨烯，成為下一代半導體材料，其發(fā)展?jié)摿Σ蝗菪∮U。
　　2011年瑞士聯(lián)邦理工學院洛桑分校(EPFL)科學家制造出了全球第一個輝鉬礦微晶片，據(jù)悉，輝鉬是未來取代矽基芯片強力競爭者。領(lǐng)導該研究的安德拉斯·基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景，而這次美國加州納米技術(shù)研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片，未來前景更加廣闊。
　　同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的矽薄膜上一樣容易，而輝鉬礦可以被加工到只有3個原子厚。
　　輝鉬所具有的機械特性也使得它受到關(guān)注，并有可能成為一種用于彈性電子裝置中的材料，可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置，甚至可以植入人體。英國《自然．納米技術(shù)》雜志就曾指出，單層的輝鉬材料具備良好的半導體特性，其有些性能還超過現(xiàn)在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，未來有望成為下一代半導體材料。
　　有分析指出，盡管石墨烯是最有可能在集成電路中替代Si的材料，但石墨烯并非自然狀態(tài)的半導體材料，它必須經(jīng)過特殊工藝處理來實現(xiàn)這一目標。輝鉬材料(MoS2)則是真正的半導體材料，并且如石墨烯一樣可以制成原子級厚度的集成電路，但它與金屬導線之間的連接存在問題。3月份，瑞士聯(lián)邦理工學院洛桑分校的研究人員實現(xiàn)了這一突破，他們發(fā)現(xiàn)可以利用氧化鉿將一個非常小的金電極連接到Si襯底的輝鉬材料上，這樣形成的集成邏輯電路的厚度(0.65nm)比Si集成電路更小，而且比同等尺寸的石墨烯電路更便宜。
　　另據(jù)外媒報道，南洋理工材料科學與工程學院的研究人員則開發(fā)出了一款基于單層MoS2材料的光電晶體管，并對其電學性能進行了表征研究。研究人員采用了膠帶機械剝離法在Si/SiO2襯底上沉積了單層MoS2材料；測量結(jié)果顯示這層MoS2厚度為0.8nm。研究人員使用該材料制造了一個MoS2場效應管，其他部件還包括兩個鈦/金電極，以及300nm的Si上SiO2作為源極、漏極和背柵材料。

　　沾鉬概念或現(xiàn)炒作潮
　　此次氧化硫研究獲得突破后，半導體薄膜在納米電子器件中將更受歡迎；分析人士指出，A股市場中沾“鉬”概念，如洛陽鉬業(yè)、新華龍及金鉬股份將有望受到資金的青睞。
　　洛陽鉬業(yè)(603993)：2010年4月，公司與美國凱利納米鉬開發(fā)公司合作成立了洛陽納米材料研究中心，致力于納米鉬領(lǐng)域的研發(fā)。公司在鉬、鎢產(chǎn)品的采、選、焙燒及深加工等技術(shù)領(lǐng)域具有強大的研發(fā)實力。公司研發(fā)了多項科研成果并成功產(chǎn)業(yè)化，進而成為行業(yè)技術(shù)進步的引擎。分析人士表示，從研發(fā)實力上來看，公司在納米鉬上明顯具有技術(shù)優(yōu)勢，未來硫化鉬在半導體的應用一旦展開，公司的技術(shù)實力將成為關(guān)鍵點。
　　新華龍(603399)：經(jīng)過多年的研發(fā)和實踐經(jīng)驗積累，公司已經(jīng)取得11項專利權(quán)，并在鉬精礦焙燒、鉬鐵冶煉和鉬酸銨加工等生產(chǎn)過程中總結(jié)出一整套國內(nèi)先進的工藝技術(shù)，形成原料要求低、產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、熱能利用率高的節(jié)約型生產(chǎn)模式。目前，公司焙燒鉬精礦和鉬酸銨產(chǎn)品收率可達98.5%以上，處于行業(yè)先進水平。
　　金鉬股份(601958)：公司依托國家級企業(yè)技術(shù)中心和博士后科研工作站，建立了完整的技術(shù)創(chuàng)新體系，公司先后承擔國家級科研項目4項、省部級科研項目16項。公司與西安交大共建“西安交通大學金屬材料強度國家重點實驗室——金堆城鉬材料研究室”，與中南大學共建“粉末冶金國家工程研究中心——金堆鉬合金研究所”。(中國證券報 魏靜)

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